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MgAl6O10单晶是最近发现的一种GaN和ZnO外延生长用新型衬底材料。与MgAl2O4晶体相比,MgAl6O10单晶与GaN的热膨胀失配和晶格失配更小。与GaN的热膨胀失配为2.2×10−6K−1,晶格失配为−11.5%。此外,MgAl6O10单晶由于熔点较MgAl2O4晶体低,更易于生长大尺寸和高质量的晶体,在MgAl6O10单晶衬底上制备的GaN和ZnO器件的发光性能会比蓝宝石有所提升。
生长方法 |
提拉法 |
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晶体结构 |
立方 |
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晶格常数 |
a=8.085Å |
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晶向 |
<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度 |
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尺寸 |
dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm |
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抛光 |
单面或者双面 |
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WULI |
熔点(℃) |
2130 |
密度g/cm3 |
3.585 |
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莫氏硬度(Mohs) |
8 |
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颜色 |
白色透明 |
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传播损耗(9GHz)(dB/μs) |
6.5 |
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热膨胀系数 |
7.45×10-6/℃ |
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包装 |
100级洁净袋,1000级超净室 |
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