产品中心
相关产品
百思精品推荐
MgAl6O10单晶是最近发现的一种GaN和ZnO外延生长用新型衬底材料。与MgAl2O4晶体相比，MgAl6O10单晶与GaN的热膨胀失配和晶格失配更小。与GaN的热膨胀失配为2.2×10−6K−1，晶格失配为−11.5%。此外，MgAl6O10单晶由于熔点较MgAl2O4晶体低，更易于生长大尺寸和高质量的晶体，在MgAl6O10单晶衬底上制备的GaN和ZnO器件的发光性能会比蓝宝石有所提升。
|
生长方法 |
提拉法 |
|
|
晶体结构 |
立方 |
|
|
晶格常数 |
a=8.085Å |
|
|
晶向 |
<100>, <110>, <111>公差：+/-0.5度 |
|
|
尺寸 |
dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm |
|
|
抛光 |
单面或者双面 |
|
|
WULI |
熔点（℃） |
2130 |
|
密度g/cm3 |
3.585 |
|
|
莫氏硬度(Mohs) |
8 |
|
|
颜色 |
白色透明 |
|
|
传播损耗（9GHz）（dB/μs） |
6.5 |
|
|
热膨胀系数 |
7.45×10-6/℃ |
|
|
|
包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |
- 上一条：Nd：YAG
- 下一条：单一属性单壁碳纳米管