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半导体单晶基片

磷化镓GaP

文字:[大][中][小] 2015-6-4    浏览次数:932    

 

 

    磷化镓是制作半导体可见发光器件的重要材料,主要用作制造整流器,晶体管、光导管、激光二极管和致冷元件等。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(GaAS InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。磷化镓是一种间接带隙材料,当引入能级形成等电子陷阱的杂质后,其发光效率会大大提高,并且能根据引入杂质的不同而发出不同颜色的光来。例如在磷化镓中掺入氮则发绿光,掺入锌-氧对则发红光,因此磷化镓是制作可见光发光二极管和数码管等光电显示器件的重要材料,此外还可用来制作光电倍增管、光电存储器、高温开关等器件。

 

生长方法

液封提拉法LEC

晶体结构

立方

晶格常数(nm)

0.545

晶向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

掺杂程度

轻掺、中掺、重掺

掺杂元素

不掺杂

掺S

掺Te

掺Zn

导电类型

N

N

N

P

带隙(eV)

1.03

电阻率(Ω·cm)





迁移率(cm2/(v·s))





载流子密度(/cm3

2~6×1016

1017~3×1018

1017~ 3×1018

1017~ 5×1018

位错密度(EPD)(/cm2

< 105

尺寸

Φ3″×0.5、Φ2″×0.5,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

表面

单抛片、双抛片或者切割片

厚度(um)

500,厚度公差+-10,可定制

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp


包装 100级洁净袋,1000级超净室

 



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