晶体材料

硅片Si

2015-6-3   阅读数:1877

       

    单晶硅片是硅的单晶体,是一种具有完整点阵结构的晶体。不同的晶向具有不同的性质,是一种非常好的半导体材料。它是硅芯片的基础材料,几乎应用在今天所有的电子产品中。它主要用于制造大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件、太阳能电池[1]等。单晶硅片[2]经常用于来制备成纳米结构的硅形貌(如硅纳米线阵列、多孔硅、黑硅等)来研究基于单晶硅的器件的性能;也经常利用蒸金的单晶硅片来生长各种一维纳米材料(如硅纳米线[3]、CdSe纳米带等);单晶硅片也用于各种表征(如SEM、AFM等)的衬底

  

生长方法

直拉(CZ)、区熔(FZ)

晶体结构

金刚石

晶格常数

0.543nm

晶向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

掺杂程度

轻掺、中掺、重掺

掺杂元素

不掺杂

掺B

掺P

导电类型

P(CZ)、本征(FZ)

P

N

带隙(eV)

1.12

电阻率(Ω·cm)


迁移率(cm2/(v·s))


载流子密度(/cm3


位错密度(EPD)(/cm2


尺寸

1" 2" 3"4" 5"6" 8" 12"以及特殊尺寸和规格硅片

表面

单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片

厚度(um)

100、200、300、400、500、等各种厚度,厚度公差+-10um

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp



 

 


[1]High Efficiency Graphene Solar Cells by Chemical Doping. Nano Lett., 2012, Vol.12 (6): 2745–2750.

[2]硅片的清洗方法:在利用单晶硅片制备硅的纳米结构中,硅片的清洗尤为重要。目前比较流行的清洗方法是RCA清洗技术,也可以通过氧等离子体清洁表面或者增加表面活性。(建议使用贝意克 BMS-II型等离子清洗器

[3]Silicon Nanowires: A Review on Aspects of theirGrowth and their Electrical Properties.该文章详细的介绍了硅纳米线的合成,其中  CVD法生长硅纳米线形貌均一,产量大,具有独特的优越性。(建议使用贝意克BTF-1200C型开启式管式炉

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